Resistore, Carbon Film, 125Mw, 10M; Resistenza:10Mohm; Gamma Prodotti:Serie Mcre; Livello Di Potenza:125Mw; Tolleranza Resistenza:± 5%; Modello Case Resistore:Conduttori Assiali; Tensione Nominale:200V; Materiale Element |MULTICOMP PRO MCRE000085.

54Mm; Gamma Prodotti:-; Confezioni Raffreddate:To-3; Materiale:Nylon; Profondità E |MULTICOMP PRO M414/TO3.

Fuse, Smd, 1A, 0603, Fast Acting; Voltage Rating Vac:32V; Voltage Rating Vdc:32V; Fuse Current:1A; Breaking Capacity:50A @ 32V Ac/Dc; Blow Characteristic:Fast Acting; Series:Chip; Fuse Case Style:0603 |EATON BUSSMANN TR/0603FA1-R.

5A, 1206, Fast Acting; Product Range:Chip Series; Fuse Current:1.5-R.5A; Voltage Rating Vac:32Vac; Voltage Rating Vdc:63Vdc; Blow Characteristic:Fast Acting; Fuse Case Style:1206; Breaking Capa |EATON BUSSMANN TR/3216FF1.Fuse, Smd, 1.

Fuse, Smd, 1A, 1206, Fast Acting; Fuse Current:1A; Blow Characteristic:Fast Acting; Voltage Rating Vac:32Vac; Voltage Rating Vdc:63Vdc; Fuse Case Style:1206 (3216 Metric); Product Range:Chip Series; B 19K7749 |EATON ELECTRONICS TR/3216FF1-R.

Fuse, Smd, 2.5-R.

Fuse, Smd, 3A, 1206, Fast Acting; Fuse Current:3A; Blow Characteristic:Fast Acting; Voltage Rating Vac:32Vac; Voltage Rating Vdc:63Vdc; Fuse Case Style:1206 ^3216 Metric]; Product Range:Chip Series; B 19K7752 |EATON ELECTRONICS TR/3216FF3-R.

Fuse, Smd, 4A, 1206, Fast Acting; Product Range:Chip Series; Fuse Current:4A; Voltage Rating Vac:32Vac; Voltage Rating Vdc:32Vdc; Blow Characteristic:Fast Acting; Fuse Case Style:1206; Breaking Capacity |EATON BUSSMANN TR/3216FF4-R.

Surface Mount Fuse; Fuse Current:5A; Blow Characteristic:Fast Acting; Voltage Rating Vac:32Vac; Voltage Rating Vdc:32Vdc; Fuse Case Style:1206 (3216 Metric); Product Range:Chip Series; Breaking Capaci 19K7756 |EATON ELECTRONICS TR/3216FF5-R.

Current Transformer; Series:2; Current R |CROMPTON - TE CONNECTIVITY 2SFT-201.

Mosfet, Canale N 61A 100V, To236Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:61A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

5A -20V Ssot-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.Mosfet, Canale P -1.125Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.

025Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |ONSEMI HUF75639G3.Mosfet, Canale N 56A 100V To247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:56A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

014Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |ONSEMI FDB3652.Mosfet, Canale N 61A 100V, To236Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:61A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

056Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di S |ONSEMI FDC3512.

5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.5A -20V Ssot-3; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-1.Mosfet, Canale P -1.

5A 60V Sc70-6; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:300Hfe; Modello Case |ONSEMI FFB2907A.Transistor, Pnp, 0.

5A 60V Sc70-6; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Dissipazione Di Potenza Pd:300Mw; Corrente Di Collettore Cc:600Ma; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:300Hfe; Modello Case Transistor:Sc-70; No.Transistor, Pnp, 0. Onsemi Ffb2907A.

Mosfet, Canale N 80A 75V, To-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:80A; Tensione Drain Source Vds:75V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0048Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |ONSEMI FDP060AN08A0.

12Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |ONSEMI FDT3612.

5A, Power33-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |ONSEMI FDMC2610.Mosfet, N Ch, 200V, 9.

2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.

Transistor, Npn, 40V, 200Ma, To-92; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:40V; Frequenza Di Transizione Ft:300Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:625Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di |ONSEMI 2N3904BU.

2°C/W; Confezioni Raffreddate:To-5; Larghezza Esterna - Metrica:-; Altezza Esterna - Metrica:12.7Mm; Lunghezza Esterna - Metrica:-; Diametro Esterno - Metrico:14 |BOYD 5F.Dissipatore Di Calore, To-5, 48°C/W; Resistenza Termica:45.

5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |ONSEMI FDS9945.5A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:3.

1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |ONSEMI FDS9945.

0115Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:115W; Modello Case Transistor:To-252Aa; No. Onsemi Fdd13An06A0.

0077Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.Mosfet Pch 30V 13A 8Soic; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-13A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

5V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.5W; Modello Case Transistor:Soic; No.6A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.6A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:11.

Transistor Npn 400V 12A To220; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:400V; Frequenza Di Transizione Ft:4Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:100W; Corrente Di Collettore Cc:12A; Guadagno Di Corrente |ONSEMI FJP13009H2TU.