Onsemi Fds8880

Rating :- 8.05 /10

Votes :- 133

Onsemi Fdc6333C

095Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |ONSEMI FDC6333C.5/2A, Ssot6; PolaritÃ Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:2..5A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Onsemi Bsr16

8A Sot23; PolaritÃ Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-60V; Frequenza Di Transizione Ft:200Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:350Mw; Corrente Di Collettore Cc:-800Ma; Guadagno Di Co |ONSEMI BSR16..

Onsemi Fds8880

6A, 8Soic; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:11.

Onsemi Fds6679Az

Mosfet Pch 30V 13A 8Soic; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-13A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0077Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di So |ONSEMI FDS6679AZ.

Onsemi Fdd13An06A0

0115Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |ONSEMI FDD13AN06A0.Mosfet, Canale N, 60V, 50A, Dpak; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Onsemi Fjp13009H2Tu

Transistor Npn 400V 12A To220; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:400V; Frequenza Di Transizione Ft:4Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:100W; Corrente Di Collettore Cc:12A; Guadagno Di Corrente |ONSEMI FJP13009H2TU.

Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:11.6A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:30V; Tensione Vgs Max:2.5V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FDS8880

5W; Modello Case Transistor:Soic; No.

Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:-13A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:-30V; Tensione Vgs Max:+25V; Tensione Vgs Off Min:-25V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FDS6679AZ

5W; Modello Case Transistor:Soic; No.Mosfet Pch 30V 13A 8Soic; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-13A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:11.6A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:30V; Tensione Vgs Max:2.5V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FDS8880

5W; Modello Case Transistor:Soic; No. Onsemi Fds8880.Mosfet, Canale N, 30V, 11.6A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:-13A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:-30V; Tensione Vgs Max:+25V; Tensione Vgs Off Min:-25V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FDS6679AZ

Onsemi Fds6679Az.Mosfet Pch 30V 13A 8Soic; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-13A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0077Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.5W; Modello Case Transistor:Soic; No.