Onsemi Fdd13An06A0

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Onsemi Fds8880

6A, 8Soic; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:11.Mosfet, Canale N, 30V, 11.0079Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |ONSEMI FDS8880.6A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Onsemi Fds6679Az

0077Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di So |ONSEMI FDS6679AZ.Mosfet Pch 30V 13A 8Soic; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-13A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Onsemi Fdd13An06A0

0115Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |ONSEMI FDD13AN06A0.Mosfet, Canale N, 60V, 50A, Dpak; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Onsemi Fjp13009H2Tu

Transistor Npn 400V 12A To220; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:400V; Frequenza Di Transizione Ft:4Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:100W; Corrente Di Collettore Cc:12A; Guadagno Di Corrente |ONSEMI FJP13009H2TU.

Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:11.6A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:30V; Tensione Vgs Max:2.5V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FDS8880

Onsemi Fds8880.

Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:-13A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:-30V; Tensione Vgs Max:+25V; Tensione Vgs Off Min:-25V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FDS6679AZ

0077Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.5W; Modello Case Transistor:Soic; No.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.

Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Id Max:9.9A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +175Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:60V; Tensione Vgs Max:4V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FDD13AN06A0

0115Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:115W; Modello Case Transistor:To-252Aa; No. Onsemi Fdd13An06A0.Mosfet, Canale N, 60V, 50A, Dpak; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Onsemi Fds9945

5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |ONSEMI FDS9945.Mosfet, Canale N, 60V, 3.5A, 8Soic; PolaritÃ Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:3.

Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Id Max:9.9A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +175Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:60V; Tensione Vgs Max:4V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FDD13AN06A0

0115Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:115W; Modello Case Transistor:To-252Aa; No.Mosfet, Canale N, 60V, 50A, Dpak; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0. Onsemi Fdd13An06A0.

Onsemi Fds9945

5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |ONSEMI FDS9945.5A, 8Soic; PolaritÃ Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:3.