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Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Optimos 2 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |INFINEON BSC118N10NSGATMA1

Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Optimos 2 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |INFINEON BSC118N10NSGATMA1

Mosfet, Can N, 100V, 71A, 150°C, 114W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:71A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0. Infineon Bsc118N10Nsgatma1.01Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:114W; Modello Case Transistor:Tdson; No.

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    Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |INFINEON BSZ096N10LS5ATMA1

    7V; Dissipazione Di Potenza Pd:69W; Modello Case Transistor:Tsdson-Fl; No.Mosfet, Canale N, 100V, 40A, 150°C, 69W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:40A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0082Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1. Infineon Bsz096N10Ls5Atma1.

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    Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Optimos Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |INFINEON BSZ099N06LS5ATMA1

    Infineon Bsz099N06Ls5Atma1.0083Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.Mosfet, Canale N, 60V, 40A, 150°C, 36W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:40A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

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    Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Optimos 3 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |INFINEON IPB054N06N3GATMA1

    0044Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:115W; Modello Case Transistor:To-263; No. Infineon Ipb054N06N3Gatma1.Mosfet, Canale N, 60V, 80A, 175°C, 115W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:80A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

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    Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Optimos T2 Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |INFINEON IPD100N06S403ATMA2

    Mosfet, Aec-Q101, Can-N, 60V, 100A, 150W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0. Infineon Ipd100N06S403Atma2.

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    01Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON BSC118N10NSGATMA1.Mosfet, Can N, 100V, 71A, 150°C, 114W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:71A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

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    0027Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |INFINEON BSZ033NE2LS5ATMA1.Mosfet, Can N, 25V, 40A, 150°C, 30W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:40A; Tensione Drain Source Vds:25V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

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    0059Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON BSZ070N08LS5ATMA1.Mosfet, Can N, 80V, 74A, Tsdson-Fl-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:40A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

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    Infineon Bsz096N10Ls5Atma1

    Mosfet, Canale N, 100V, 40A, 150°C, 69W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:40A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0082Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |INFINEON BSZ096N10LS5ATMA1.

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    Mosfet, Canale N, 60V, 40A, 150°C, 36W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:40A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0083Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |INFINEON BSZ099N06LS5ATMA1.

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    Infineon Bsz180P03Ns3Gatma1

    6A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.Mosfet, Canale P, -30V, -39.0135Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; |INFINEON BSZ180P03NS3GATMA1.6A, 150°C; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-39.

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    Infineon Imw120R045M1Xksa1

    045Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):15V; Te |INFINEON IMW120R045M1XKSA1.Mosfet, Can N, 1,2Kv, 52A, 175°C, 228W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:52A; Tensione Drain Source Vds:1.

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    Infineon Ipb054N06N3Gatma1

    0044Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |INFINEON IPB054N06N3GATMA1.Mosfet, Canale N, 60V, 80A, 175°C, 115W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:80A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

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    Infineon Ipb180P04P403Atma1

    Mosfet, Aecq101, Ca-P, -40V, -180A, 150W; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-180A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.002Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V |INFINEON IPB180P04P403ATMA1.

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    Infineon Ipb60R099Cpaatma1

    09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |INFINEON IPB60R099CPAATMA1.

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    Infineon Ipd100N06S403Atma2

    Mosfet, Aec-Q101, Can-N, 60V, 100A, 150W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0028Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; |INFINEON IPD100N06S403ATMA2.

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    Infineon Ipd50N06S4L08Atma2

    Mosfet, Aec-Q101, Can-N, 60V, 50A, 71W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0063Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |INFINEON IPD50N06S4L08ATMA2.

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    Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Optimos T2 Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |INFINEON IPD50N06S4L08ATMA2

    0063Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.Mosfet, Aec-Q101, Can-N, 60V, 50A, 71W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0. Infineon Ipd50N06S4L08Atma2.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:71W; Modello Case Transistor:To-252; No.

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    Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Coolmos C7 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |INFINEON IPD60R180C7ATMA1

    Infineon Ipd60R180C7Atma1.Mosfet, Canale N, 600V, 13A, 150°C, 68W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:13A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:68W; Modello Case Transistor:To-252; No.155Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.

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    Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Coolmos Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |INFINEON IPD80R2K7C3AATMA1

    4Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:42W; Modello Case Transistor:To-252; No. Infineon Ipd80R2K7C3Aatma1.

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    Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Coolmos P7 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |INFINEON IPN70R2K0P7SATMA1

    Infineon Ipn70R2K0P7Satma1.Mosfet, Canale N, 700V, 3A, 150°C, 6W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:700V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.64Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:6W; Modello Case Transistor:Sot-223; No.

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    Infineon Ipd60R180C7Atma1

    Mosfet, Canale N, 600V, 13A, 150°C, 68W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:13A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

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    Infineon Ipd80R2K7C3Aatma1

    Mosfet, Aec-Q101, Can-N, 800V, 2A, 42W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.

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    Infineon Ipn70R2K0P7Satma1

    Mosfet, Canale N, 700V, 3A, 150°C, 6W; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:700V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.

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    Infineon Ipp015N04Ngxksa1

    0012Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |INFINEON IPP015N04NGXKSA1.Mosfet, Canale N, 40V, To-220-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

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    Infineon Ipp023N04Ngxksa1

    Mosfet, Canale N, 40V, To-220-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:90A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0019Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |INFINEON IPP023N04NGXKSA1.

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    Infineon Ipp65R110Cfdaaksa1

    2A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.099Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; |INFINEON IPP65R110CFDAAKSA1.

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