5V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:625Mw; Modello Case Transistor:Sc-89; No.Mosfet, Doppio, N, Smd, Sc89; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:600Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0. Onsemi Fdy3000Nz.

Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:7.

Mosfet, P, Smd, So-8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:11A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

009Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia V |ONSEMI FDS8447.

5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.Mosfet, P, Smd, Ssot-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:5.035Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Sogl |ONSEMI FDC602P.

5V; Tensione Di Soglia |ONSEMI FDC606P.Mosfet, P, Smd, Ssot-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:6A; Tensione Drain Source Vds:-12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.026Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.

Mosfet, P, Smd, Ssot-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:5.8A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.026Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Sogl |ONSEMI FDC608PZ.

037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):12V; Tensione Di Soglia |ONSEMI FDC638APZ.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.Mosfet, P, Smd, Ssot-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:4.

044Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia |ONSEMI FDC658AP.Mosfet, P, Smd, Ssot-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

8A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:12.

Mosfet, P, Smd, Ssot-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:5.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-900Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:1.6W; Modello Case Transistor:Supersot; No.

026Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.Mosfet, P, Smd, Ssot-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:6A; Tensione Drain Source Vds:-12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.6W; Modello Case Transistor:Supersot; No.

Mosfet, P, Smd, Ssot-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:5.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.6W; Modello Case Transistor:Supersot; No.

037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):12V; Tensione Di Soglia Vgs:-800Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:1.

0046Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):20V; Tensione Di Soglia Vgs:2 |ONSEMI FDP5800.Mosfet, N, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:80A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Mosfet, N, To-220F; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:39A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.066Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs: |ONSEMI FDPF39N20.

265Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Sogl |ONSEMI FDP18N50.Mosfet Nch 18A 500V To220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

024Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia |ONSEMI FDD3672.

032Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia |ONSEMI FDD3682.Mosfet, N, Smd, To-252; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:32A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Mosfet, P, Smd, To-252; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:14A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.036Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):20V; Tensione Di Soglia |ONSEMI FDD4243.

Mosfet, P, Smd, To-252; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:32A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia |ONSEMI FDD4685.

Mosfet, N, Smd, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:62A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0229Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia |ONSEMI FDB2614.

026Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia |ONSEMI FQB47P06TM-AM002.Mosfet, P, Smd, To-263; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:47A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Mosfet, P, Smd, Ssot-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.044Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia |ONSEMI FDC658AP.

024Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:135Mw; Modello Case Transistor:To-252; No.Mosfet, N, Smd, To-252; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:44A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Onsemi Fdd3682.Mosfet, N, Smd, To-252; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:32A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Mosfet, P, Smd, To-252; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:14A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

6V; Dissipazione Di Potenza Pd:69W; Modello Case Transistor:To-252; No. Onsemi Fdd4685.

0229Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:260W; Modello Case Transistor:To-263; No.Mosfet, N, Smd, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:62A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0. Onsemi Fdb2614.

Mosfet, P, Smd, To-263; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:47A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.