reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Onsemi

Of Poles:2 Pole; Input Voltage Vac:277V; Interrupting Capacity:5Ka; Trip Time:20S; Dielectric Strength:1 17M3389 |POTTER&BRUMFIELD - TE CONNECTIVITY W92-X112-20

Of Poles:2 Pole; Input Voltage Vac:277V; Interrupting Capacity:5Ka; Trip Time:20S; Dielectric Strength:1 17M3389 |POTTER&BRUMFIELD - TE CONNECTIVITY W92-X112-20

Circuit Breaker, Hydromagnetic, 2P, 277V, 20A; Product Range:W9 Series; Current Rating:20A; No. Potter&brumfield Te Connectivity W92-X112-20.

  • Articoli di ferramenta
  • Forniture elettriche
  • Interruttori elettrici
  • Interruttori elettrici speciali
  • Protezione dei circuiti
  • Potter&brumfield Te Connectivity
    • Of Contacts:16Contacts; Circular Contact Type:Crimp Pin - Contacts Not 20C2381 |AMP - TE CONNECTIVITY 213862-1

    Of Contacts:16Contacts; Circular Contact Type:Crimp Pin - Contacts Not 20C2381 |AMP - TE CONNECTIVITY 213862-1

    Circular Connector, 16Pos, Rcpt, Flange; Product Range:Cpc Series 1; Circular Connector Shell Style:Flange Mount Receptacle; No. Amp Te Connectivity 213862-1.

  • Articoli di ferramenta
  • Forniture elettriche
  • Connettori e terminali cavo
  • Connettori
  • Amp Te Connectivity
    • 3M 5419 3/4 X 36 Yd

    3M 5419 3/4 X 36 Yd

    75Inx36Yd; Adhesive Type:Silicone Adhesive; Tape Application:Pcb Protection; Tape Colour:Gold; Total Tape Thickness:2.

  • Articoli di ferramenta
  • Materiali di consumo per costruzioni
  • Materiali di consumo per la pittura
  • Pitture
  • Attrezzi e forniture di produzione
  • 3M
    • Onsemi Fcd4N60Tm

    Onsemi Fcd4N60Tm

    9A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs |ONSEMI FCD4N60TM.Mosfet, N, 600V, D-Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Id Max:3.9A; Corrente Di Impulso Idm:11.7A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Modello Case Alternativo:To-252; Resistenza Stato On Max:1.2Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:600V; Tensione Vgs Max:30V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Max:5V; Tensione Vgs Th Min:3V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FCD4N60TM

    Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Id Max:3.9A; Corrente Di Impulso Idm:11.7A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Modello Case Alternativo:To-252; Resistenza Stato On Max:1.2Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:600V; Tensione Vgs Max:30V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Max:5V; Tensione Vgs Th Min:3V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FCD4N60TM

    9A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:5V; Dissipazione Di Potenza Pd:50W; Modello Case Transistor:To-252; No.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Id Max:4.6A; Corrente Di Impulso Idm:13.8A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Modello Case Alternativo:To-252; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:600V; Tensione Vgs Max:30V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Max:5V; Tensione Vgs Th Min:3V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FCD5N60TM
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Id Max:7A; Corrente Di Impulso Idm:21A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Modello Case Alternativo:To-252; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:600V; Tensione Vgs Max:30V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Max:5V; Tensione Vgs Th Min:3V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FCD7N60TM

    Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Id Max:7A; Corrente Di Impulso Idm:21A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Modello Case Alternativo:To-252; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:600V; Tensione Vgs Max:30V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Max:5V; Tensione Vgs Th Min:3V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FCD7N60TM

    Onsemi Fcd7N60Tm.Mosfet, N, 600V D-Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:7A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.53Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:5V; Dissipazione Di Potenza Pd:83W; Modello Case Transistor:To-252; No.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:3.7A; Corrente Di Impulso Idm:6A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Marcatura Smd:028; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55°C; Tensione Vds:20V; Tensione Vds Tipica:20V; Tensione Vgs Max:12V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:4.5V; Tensione Vgs Th Max:1.5V |ONSEMI FDMA1028NZ

    Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:3.7A; Corrente Di Impulso Idm:6A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Marcatura Smd:028; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55°C; Tensione Vds:20V; Tensione Vds Tipica:20V; Tensione Vgs Max:12V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:4.5V; Tensione Vgs Th Max:1.5V |ONSEMI FDMA1028NZ

    068Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):1V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:-3.1A; Corrente Di Impulso Idm:6A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Marcatura Smd:029; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55°C; Tensione Vds:-20V; Tensione Vds Tipica:-20V; Tensione Vgs Max:12V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:4.5V; Tensione Vgs Th Max:-1.5V |ONSEMI FDMA1029PZ
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:-6.6A; Corrente Di Impulso Idm:24A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55°C; Tensione Vds:-20V; Tensione Vds Tipica:-20V; Tensione Vgs Max:8V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-4.5V; Tensione Vgs Th Max:-1V |ONSEMI FDMA291P

    Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:-6.6A; Corrente Di Impulso Idm:24A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Livello Temperatura A Piena Potenza:25°C; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55°C; Tensione Vds:-20V; Tensione Vds Tipica:-20V; Tensione Vgs Max:8V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-4.5V; Tensione Vgs Th Max:-1V |ONSEMI FDMA291P

    036Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-700Mv; Tensione Di Soglia Vgs:-700Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:2. Onsemi Fdma291P.4W; Modello Case Transistor:Μfet; No.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Onsemi Fcd5N60Tm

    Onsemi Fcd5N60Tm

    Mosfet, N, 650V, D-Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4.95Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia |ONSEMI FCD5N60TM.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Onsemi Fcd7N60Tm

    Onsemi Fcd7N60Tm

    Mosfet, N, 600V D-Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:7A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.53Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs |ONSEMI FCD7N60TM.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Onsemi Fdma1028Nz

    Onsemi Fdma1028Nz

    7A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.068Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):1V; Tensione Di |ONSEMI FDMA1028NZ.Mosfet, Doppio, N, Mlp6; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:3.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Onsemi Fdma1029Pz

    Onsemi Fdma1029Pz

    06Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-1V; Tensione Di |ONSEMI FDMA1029PZ.1A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Onsemi Fdma291P

    Onsemi Fdma291P

    6A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.036Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-700Mv; Tensione Di Soglia Vgs |ONSEMI FDMA291P.Mosfet, P, Mlp6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:6.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • |ONSEMI FDMC2523P

    |ONSEMI FDMC2523P

    Onsemi Fdmc2523P.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.Mosfet, P, Super33; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:-150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Onsemi Fdp33N25

    Onsemi Fdp33N25

    Mosfet, N, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:33A; Tensione Drain Source Vds:250V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.094Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:5 |ONSEMI FDP33N25.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Onsemi Fdp3651U

    Onsemi Fdp3651U

    018Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4 |ONSEMI FDP3651U.Mosfet, N, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:80A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Onsemi Fdpf33N25T

    Onsemi Fdpf33N25T

    094Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs: |ONSEMI FDPF33N25T.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Onsemi Fds4935Bz

    Onsemi Fds4935Bz

    022Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione D |ONSEMI FDS4935BZ.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Onsemi Fds8949

    Onsemi Fds8949

    029Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di S |ONSEMI FDS8949.Mosfet, Doppio, N, So-8; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:6A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Onsemi Fdy4000Cz

    Onsemi Fdy4000Cz

    5V; Tensione Di |ONSEMI FDY4000CZ.Mosfet, Doppio, Np, Sc89-6; Polarità Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:600Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.7Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Capacità Ciss Tipica:200Pf; Configurazione Pin:D(5,6,7,8), G(4), S(1,2,3); Corrente Id Max:3A; Corrente Di Impulso Idm:12A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Resistenza Stato On Max:1.5Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:-150V; Tensione Vgs Max:30V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-10V; Tensione Vgs Th Max:-5V; Tensione Vgs Th Min:-3V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FDMC2523P

    Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Capacità Ciss Tipica:200Pf; Configurazione Pin:D(5,6,7,8), G(4), S(1,2,3); Corrente Id Max:3A; Corrente Di Impulso Idm:12A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Resistenza Stato On Max:1.5Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:-150V; Tensione Vgs Max:30V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-10V; Tensione Vgs Th Max:-5V; Tensione Vgs Th Min:-3V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FDMC2523P

    8V; Dissipazione Di Potenza Pd:42W; Modello Case Transistor:Power 33; No. Onsemi Fdmc2523P.Mosfet, P, Super33; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:-150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Capacità Ciss Tipica:1360Pf; Configurazione Modulo:Doppio; Configurazione Pin:D1(5,6), D2(7,8), G1(4), S1(3), G2(2), S2(1); Corrente Continua Di Drain Id, Canale P:-6.9A; Corrente Id Max:-6.9A; Corrente Di Impulso Idm:50A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Resistenza Stato On Max:22Mohm; Resistenza Di Attivazione Rds(On), Canale P:0.018Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Drain Source Vds, Canale P:-30V; Tensione Vds Tipica:-30V |ONSEMI FDS4935BZ

    Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Capacità Ciss Tipica:1360Pf; Configurazione Modulo:Doppio; Configurazione Pin:D1(5,6), D2(7,8), G1(4), S1(3), G2(2), S2(1); Corrente Continua Di Drain Id, Canale P:-6.9A; Corrente Id Max:-6.9A; Corrente Di Impulso Idm:50A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Resistenza Stato On Max:22Mohm; Resistenza Di Attivazione Rds(On), Canale P:0.018Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Drain Source Vds, Canale P:-30V; Tensione Vds Tipica:-30V |ONSEMI FDS4935BZ

    Mosfet, Doppio, P, So-8; Polarità Transistor:Canale P Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:6.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Capacità Ciss Tipica:715Pf; Configurazione Modulo:Doppio; Configurazione Pin:D1(5,6), D2(7,8), G1(4), S1(3), G2(2), S2(1); Corrente Continua Di Drain Id, Canale N:6A; Corrente Id Max:6A; Corrente Di Impulso Idm:20A; Energia Singolo Impulso Avalanche Eas:26Mj; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Resistenza Stato On Max:29Mohm; Resistenza Di Attivazione Rds(On), Canale N:0.021Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:40V |ONSEMI FDS8949

    Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Capacità Ciss Tipica:715Pf; Configurazione Modulo:Doppio; Configurazione Pin:D1(5,6), D2(7,8), G1(4), S1(3), G2(2), S2(1); Corrente Continua Di Drain Id, Canale N:6A; Corrente Id Max:6A; Corrente Di Impulso Idm:20A; Energia Singolo Impulso Avalanche Eas:26Mj; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Resistenza Stato On Max:29Mohm; Resistenza Di Attivazione Rds(On), Canale N:0.021Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:40V |ONSEMI FDS8949

    Mosfet, Doppio, N, So-8; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:6A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Soic; No.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Capacità Ciss Tipica:100Pf; Configurazione Pin:S2(4),g2(5),d1(6),d2(3),g1(2), S1(1); Corrente Continua Id Canale N:0.6A; Corrente Continua Id Canale P:350Ma; Corrente Id Max:600Ma; Corrente Di Impulso Idm:1A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Resistenza Stato On Canale 1:700Mohm; Resistenza Stato On Canale P 2:1.2Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:20V; Tensione Vgs Max:8V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:4.5V |ONSEMI FDY4000CZ

    Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Capacità Ciss Tipica:100Pf; Configurazione Pin:S2(4),g2(5),d1(6),d2(3),g1(2), S1(1); Corrente Continua Id Canale N:0.6A; Corrente Continua Id Canale P:350Ma; Corrente Id Max:600Ma; Corrente Di Impulso Idm:1A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Resistenza Stato On Canale 1:700Mohm; Resistenza Stato On Canale P 2:1.2Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:20V; Tensione Vgs Max:8V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:4.5V |ONSEMI FDY4000CZ

    7Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.Mosfet, Doppio, Np, Sc89-6; Polarità Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:600Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0. Onsemi Fdy4000Cz.5V; Tensione Di Soglia Vgs:600Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:625Mw; Modello Case Transistor:Sc-89; No.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Di Righe:1File; Rivestimento Contatto:-; Materiale Contatto:Bronzo |HIROSE(HRS) DF13-4S-1.25C
  • Casa e giardino
  • Cucina e pranzo
  • Strumenti e utensili cucina
  • Stampi per biscotti
  • Connettori
  • Hirose(Hrs)
    • Di Righe:1File; Rivestimento Contatto:-; Materiale Contatto:Bronzo |HIROSE(HRS) DF13-8S-1.25C
  • Casa e giardino
  • Cucina e pranzo
  • Strumenti e utensili cucina
  • Stampi per biscotti
  • Connettori
  • Hirose(Hrs)
    • Di Righe:1File; Rivestimento Contatto:-; Materiale Contatto:Bronzo |HIROSE(HRS) DF13-12S-1.25C
  • Casa e giardino
  • Cucina e pranzo
  • Strumenti e utensili cucina
  • Stampi per biscotti
  • Connettori
  • Hirose(Hrs)
    • Hts Te Connectivity 1-1105050-1

    Hts Te Connectivity 1-1105050-1

    Spina Crimp, 0.14-0.37Mm; Gamma Prodotti:Serie Hts; Genere Contatto:Pin; Dimensioni Filo Awg Max:21Awg; Tipo Terminazione Contatto:A Crimpare; Livello Di Corrente:10A; Materiale Contatto:Rame; Rivestimento Contatto:Conta |HTS - TE CONNECTIVITY 1-1105050-1.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Accessori per circuiti stampati
  • Connettori
  • Hts Te Connectivity
    • PREVIOUS 293814 293815 293816 293817 293818 293819 293820 293821 293822 293823 293824 293825 293826 293827 293828 293829 293830 NEXT