Mosfet, N Ch, 60V, 92A, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:92A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0059Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |NEXPERIA PSMN7R6-60PS,127.

015Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |NEXPERIA PSMN020-100YS,115.Mosfet, Canale N, 100V, 43A, Sot669; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:43A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

0043Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Ten |NEXPERIA PSMN5R6-100PS,127.Mosfet, Canale N, 100V, 100A, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

002Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |NEXPERIA PSMN2R6-40YS,115.Mosfet, Canale N, 40V, 100A, Sot669; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Mosfet, Canale N, 40V, 100A, Sot669; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0032Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |NEXPERIA PSMN4R0-40YS,115.

Mosfet, Canale N, 40V, 70A, Sot669; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:70A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0066Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |NEXPERIA PSMN8R3-40YS,115.

0039Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |NEXPERIA PSMN4R5-40PS,127.Mosfet, Canale N, 40V, 100A, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Mosfet, Canale N, 40V, 77A, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:77A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0062Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |NEXPERIA PSMN8R0-40PS,127.

Littelfuse Sp720Abtg.Diode, Tvs, 14Ch, 30V, Soic16; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:-; Modello Involucro Diodo:Soic; No.

Diode, Tvs, 6Ch, 30V, Soic8; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:-; Modello Involucro Diodo:Soic; No. Littelfuse Sp721Abtg.

Nexperia Psmn2R6-40Ys,115.002Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:131W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

Mosfet, Canale N, 40V, 70A, Sot669; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:70A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0. Nexperia Psmn8R3-40Ys,115.

Mosfet, Canale N, 80V, 34A, Sot669; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:34A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.02Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |NEXPERIA PSMN026-80YS,115.

0058Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |NEXPERIA PSMN8R2-80YS,115.

0033Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |NEXPERIA PSMN4R4-80PS,127.Mosfet, Canale N, 80V, 100A, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Mosfet, Canale N, 80V, 100A, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |NEXPERIA PSMN5R0-80PS,127.

25Ah; Terminali Batteria:Positivo Rialzato E Negativo Piatto; |ENERGIZER 7638900343533.

5V; Codice Dimensione Batteria:Aa; Tecnologia Batteria:Litio Disolfuro Di Ferro; Capacità Batteria:3Ah; Terminali Batteria:Positivo Rialzato E Negativo Piatto; Diam |ENERGIZER 7638900343526.Batteria, Ultimate Litio, Aa, 10Pk; Tensione Batteria:1.

4Mm; External Diameter - Metric:-; Heat Sink Ma |WAKEFIELD THERMAL 242-125ABE-22.59Mm; External Length - Metric:6.2Mm; External Height - Metric:32.Heat Sink; Thermal Resistance:24°C/W; Packages Cooled:To-220; External Width - Metric:22.

Diodo, Tvs, 4Ch, 20V, Sot23; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:-; Modello Involucro Diodo:Sot-23; No.

Nexperia Psmn012-60Ys,115.008Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:89W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.Mosfet, Canale N, 60V, 59A, Sot669; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:59A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Nexperia Psmn5R5-60Ys,115.0036Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:130W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

0056Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:106W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.Mosfet, Canale N, 60V, 76A, Sot669; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:76A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Nexperia Psmn4R0-40Ys,115.

02Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:74W; Modello Case Transistor:Sot-669; No.

Nexperia Psmn8R2-80Ys,115.

Tubo A Scarica Uv; Sorgente Luminosa:Ultravioletti; Tipo Di Attacco Lampada:Miniature Bi-Pin; Potenza Di Ingresso:8W; Tensione Di Ingresso:-; Gamma Prodotti:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (12-Jan-20 |LAWTRONICS G8T5.

2Μf; Capacitance Tolerance:± 10%; Dielectric Characteristic:X5R; Voltage Rating:25V; Ceramic Capacitor C |MULTICOMP PRO MC1206X225K250CT.

Tubo A Scarica Uv; Sorgente Luminosa:Ultravioletti; Tipo Di Attacco Lampada:Bi-Pin Medio; Potenza Di Ingresso:15W; Tensione Di Ingresso:-; Gamma Prodotti:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (12-Jan-2017) |LAWTRONICS G15T8.

7Uf, 10V, X5R, 1206; |MULTICOMP PRO MC1206X475K100CT.Capacitor Ceramic 4.