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Onsemi S3A

About The 5Μs; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:100A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Ab; No.62Mm; Lunghezza/Altezza Esterna:2

Diodo, Standard, 3A, 50V, Smd; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:50V; Corrente Diretta If(Av):3A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.15V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:2.5Μs; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:100A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Ab; No. Di Pin:2Pin; Gamma Prodotti:S3A Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente If @ Vf:1A; Corrente Ifsm:100A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Esterna:2.62Mm; Lunghezza/Altezza Esterna:2.62Mm; Marcatura Smd:3A; Modello Case Alternativo:Do-214Ab; Polaritá Diodo:Catodo; Profondità Esterna:6.22Mm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Tempo Di Recupero Inverso Trr Tipico:2.5Μs; Tipo Di Diodo:Standard Recovery; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale ,ONSEMI S3A

Semiconduttori - Discreti

Onsemi S3A

Di Pin:2Pin; Gamma Prodotti:S1J Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente If @ Vf:1A; Corrente Ifsm:40A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Esterna:5.28Mm; Lunghezza/Altezza Esterna:2.44Mm; Marcatura Smd:1J; Modello Case Alternativo:Do-214Ac; Numero Di Pin:2 Pin; Polaritá Diodo:Catodo; Profondità Esterna:2.79Mm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Tempo Di Recupero Inverso Trr Tipico:1.8Μs; Tensione Diretta:1V; Tipo Di Diodo:Standard Recovery; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI S1J
Di Pin:2Pin; Gamma Prodotti:S3D Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente If @ Vf:1A; Corrente Ifsm:100A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Esterna:2.62Mm; Lunghezza/Altezza Esterna:2.62Mm; Marcatura Smd:3D; Modello Case Alternativo:Do-214Ac; Polaritá Diodo:Catodo; Profondità Esterna:6.22Mm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Tempo Di Recupero Inverso Trr Tipico:2.5Μs; Tensione Diretta:1.15V; Tipo Di Diodo:Standard Recovery; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI S3D
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Specifications of Onsemi S3A

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5Μs; Corrente Di Picco |ONSEMI S3A.15V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:2.Diodo, Standard, 3A, 50V, Smd; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:50V; Corrente Diretta If(Av):3A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.

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    1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:1.8Μs; Corrente Di Picc |ONSEMI S1J.Diodo, Standard, 1A, 600V, Smd; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.

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    Onsemi Rfp12N10L

    2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):5V; Tens |ONSEMI RFP12N10L.Transistor, Mosfet, N, 100V, 12A, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

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    1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):5V; Tensione Di Soglia Vgs |ONSEMI RFD14N05LSM.Mosfet, N, Logic, D-Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:14A; Tensione Drain Source Vds:50V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

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    Mosfet, N, Logic, D-Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:14A; Tensione Drain Source Vds:50V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):5V; Tensione Di Soglia Vgs |ONSEMI RFD14N05LSM.

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