Omega Dp606A-Dc

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Di Pin:2Pin; Tensione Di Breakdown Min:15.6V; Tensione Di Rottura Max:17.2V; Dissipazione Potenza Impulso A Punta:400W; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018) |NEXPERIA PTVS14VS1UR/8X

2V; Modello Involucro Diodo:Sod-123W; No.Sod-123W; Gamma Prodotti:Ptvsxs1Ur Series; PolaritÃ Tvs:Unidirezionale; Tensione Di Stand-Off Inversa Vrwm:14V; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:23.. Nexperia Ptvs14Vs1Ur/8X Diodo Tvs, 400W, 14V, Unidir.

Diodi

Protezione dei circuiti

Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |NEXPERIA PSMN3R7-100BSEJ

00336Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.Mosfet, 100V, 120A, 175Â° C, 405W; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0. Nexperia Psmn3R7-100Bsej.66V; Dissipazione Di Potenza Pd:405W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Semiconduttori - Discreti

Transistor

Di |NEXPERIA PTVS14VS1UR/8X

Nexperia Ptvs14Vs1Ur/8X Diodo Tvs, 400W, 14V, Unidir.

Diodi

Protezione dei circuiti

Nexperia Psmn3R7-100Bsej

00336Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |NEXPERIA PSMN3R7-100BSEJ.Mosfet, 100V, 120A, 175Â° C, 405W; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Semiconduttori - Discreti

Transistor

Nexperia Psmn3R7-100Bsej

Mosfet, 100V, 120A, 175Â° C, 405W; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.

Semiconduttori - Discreti

Transistor