Onsemi Nsvbas21Ht1G

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Onsemi Sbas16Xv2T1G

25V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:6Ns; Corren |ONSEMI SBAS16XV2T1G.Diodo, Segnale Piccolo, Aec-Q101, 100V; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1.

Flauti

Circuiti stampati e componenti

Di Pin:2Pin; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI SMMDL914T1G

Diodo, Segnale Piccolo, Aec-Q101, 100V; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:4Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:36A; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Modello Involucro Diodo:Sod-323; No. Onsemi Smmdl914T1G.

Dispositivi elettronici

Semiconduttori

Transistor

Circuiti stampati e componenti

Di Pin:3Pin; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |ONSEMI SMMBD914LT1G

Onsemi Smmbd914Lt1G.Diodo, Segnale Piccolo, Aec-Q101, 100V; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:4Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:500Ma; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Modello Involucro Diodo:Sot-23; No.

Dispositivi elettronici

Semiconduttori

Transistor

Onsemi Sbas16Ht1G

Diodo, Segnale Piccolo, Aec-Q101, 100V; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1.

Flauti

Onsemi Sbas16Ht1G

25V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:6Ns; Corren |ONSEMI SBAS16HT1G.Diodo, Segnale Piccolo, Aec-Q101, 100V; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1.

Flauti